某半导体光刻胶生产企业采用 3M™ Betapure™ NT-T 滤芯，用于光刻胶成品的终端精滤环节，核心去除光刻胶中的纳米级颗粒、凝胶杂质

 

3M™ Betapure™ NT-T 滤芯案例 1：半导体光刻胶过滤

某半导体光刻胶生产企业采用 3M™ Betapure™ NT-T 滤芯，用于光刻胶成品的终端精滤环节，核心去除光刻胶中的纳米级颗粒、凝胶杂质，确保光刻胶的涂布均匀性，避免晶圆光刻环节出现针孔、线宽偏差等缺陷。安装时在千级无尘车间内采用无菌操作，3M™ Betapure™ NT-T 滤芯采用无粘结剂热焊接密封，与光刻胶过滤设备采用氟橡胶接口适配有机溶剂体系；运行中控制过滤压力 0.08-0.12MPa，温度 23±2℃，采用正压低流速过滤（5-10mL/min・cm²），减少剪切力对光刻胶分子结构的破坏，每批次光刻胶过滤后进行滤芯完整性测试。3M™ Betapure™ NT-T 滤芯采用超纯 PTFE 膜材质，0.02μm 绝对过滤精度可实现颗粒去除率≥99.999%，对光刻胶中的树脂、感光剂无吸附、无溶出，兼容光刻胶中的 PGMEA、EC 等有机溶剂。应用后，光刻胶中纳米颗粒（≥0.05μm）含量≤1 个 /mL，晶圆光刻环节的缺陷率降低 70%，光刻胶涂布均匀性提升至 99.9%，3M™ Betapure™ NT-T 滤芯确保了光刻胶的高纯度与工艺稳定性，满足 7nm 以下先进制程的光刻要求。